出现明显产能缺口!有研新材加码半导体靶材

   日期:2026-08-13     浏览:0    评论:0    
核心提示:  7月30日,有研新材连公告,两项高端靶材扩产议案已获董事会会议审议通过,总投资规模近15亿元。  具体而言,该公司审议通
   7月30日,有研新材连公告,两项高端靶材扩产议案已获董事会会议审议通过,总投资规模近15亿元。
  具体而言,该公司审议通过《关于集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目可行性研究报告的议案》与《关于高端靶材保障能力建设及特种靶材产业化项目立项的议案》,将投资4.86亿元在有研亿金新材料(山东)有限公司现有厂区预留地实施集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目,以及同意高端靶材保障能力建设及特种靶材产业化项目立项,项目投资金额预计9.88亿元,新建厂房地块占地面积约14万平方米,新增建筑面积约10万平方米。
  对于集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目,有研新材披露称,该项目建设规模为新增高纯铜及铜合金靶、钽靶、钛靶产能30000块/年;建设周期计划于2026年9月启动建设;2027年9月正式投产,释放产能;2028年12月投资完成。
  此次扩产的原因是因为随着全球半导体产业复苏与扩张驱动,半导体靶材需求继续增长,公司现有德州基地铜系、钽系靶材产能已接近饱和,预计将出现明显产能缺口,已无法满足国内外头部客户的订单需求。
  据介绍,此次有研新材集成电路用高纯溅射靶材二期扩产项目聚焦先进制程用高纯铜及铜合金靶材、钽靶材等集成电路核心材料,符合国家对电子信息材料领域技术攻关和产能扩张的双重支持导向,具备明确的政策合规性与扶持适配性。
  本次扩产项目的实施将提升有研新材高纯铜及铜合金、高纯钽、高纯钛靶材产能,提升我国高端溅射靶材的国产化率,攻克7nm以下先进制程靶材制备技术瓶颈,填补国内高端产品空白,对筑牢我国半导体产业链供应链安全屏障具有重要战略意义。
  资料来源:
  --有研新材
  --证券日报
 
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